Contrairement aux capteurs a-Si, qui sont fabriqués sur du verre, les capteurs CMOS (Metal-Oxide-Semiconductor) sont développés sur des plaques de silicium
Les capteurs CMOS (Metal-Oxide-Semiconductor) sont développés sur des plaques de silicium.
La mobilité de charge beaucoup plus élevée du silicium cristallin (c-Si) par rapport au a-Si permet d'obtenir des capteurs d'images qui offrent une vitesse de lecture plus élevée et un bruit électronique nettement plus faible.
Rapport SN plus élevé
Résolution plus élevée
Finesse, coins arrondis et bords lisses
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