Système de production magnétique PlasmaPro 100 Polaris

Le système de gravure ICP RIE PlasmaPro 100 Polaris offre des solutions intelligentes pour produire les superbes résultats de gravure dont vous avez besoin pour maintenir votre avantage concurrentiel. Avec une grande expérience dans la gravure de matériaux tels que le GaN, le SiC et le saphir, nos technologies permettent d'obtenir le coût de propriété et le rendement requis pour maximiser les performances de vos dispositifs. Des taux de gravure superbes Faible coût de possession Conçu spécifiquement pour les produits chimiques agressifs Excellente uniformité de la gravure Technologie exclusive de serrage électrostatique capable de serrer le saphir, GaN sur saphir et silicium Système de pompage à haute conductance Possibilité de regroupement avec d'autres systèmes PlasmaPro Caractéristiques Le système de gravure PlasmaPro 100 Polaris offre des solutions intelligentes pour produire les résultats de gravure dont vous avez besoin pour maintenir votre avantage concurrentiel. Conçu spécifiquement pour les chimies agressives requises pour la gravure de matériaux difficiles tels que le GaN, le saphir et le SiC, le PlasmaPro 100 Polaris fournit des taux de gravure rapides et uniformes sur des plaquettes jusqu'à 200 mm de diamètre. Électrode à refroidissement actif - Maintient la température de l'échantillon pendant le processus de gravure Source ICP haute puissance - produit des plasmas de haute densité Matériel fiable et facilité d'entretien - Excellent temps de fonctionnement Entretoise magnétique - Amélioration du contrôle et de l'uniformité des ions Technologie exclusive de serrage électrostatique - Capacité de serrage du saphir, du GaN sur saphir et du silicium Revêtements de chambre chauffés - Optimisés pour réduire les dépôts sur les parois de la chambre Unité d'appariement automatique avancée (AMU) - Permet un appariement rapide, efficace et précis, permettant une excellente répétabilité du processus Applications Gravure de trous Via SiC pour dispositifs RF Dispositif de semi-conducteur de puissance Gravure de caractéristiques SiC Gravure HBLED GaN Dispositif RF GaN etch