Microscope SEM SU9000

de laboratoirehaute résolution

La source d'émission en champ froid est idéale pour l'imagerie à haute résolution, avec une taille de source et une répartition d'énergie réduites. La technologie innovante du canon CFE contribue à l'ultime FE-SEM avec une luminosité et une stabilité de faisceau supérieures, permettant une imagerie à haute résolution et une analyse élémentaire de haute qualité. La conception unique de la lentille de l'objet permet de réaliser des EELS et de la diffraction. Vue d'ensemble Le SU9000 est le nouveau MEB haut de gamme de HITACHI. Il est doté d'une optique électronique unique, l'échantillon étant placé dans un espace entre les parties supérieure et inférieure de la pièce polaire de la lentille d'objectif. Ce concept dit "true in-lens" - combiné à la nouvelle génération de la technologie d'émission à champ froid de HITACHI - garantit la résolution la plus élevée possible du système (résolution SE 0,4 nm à 30 kV, 1,2 nm à 1 kV sans technologie de décélération du faisceau [0,8 nm avec décélération du faisceau]) et la stabilité. Pour que ce pouvoir de résolution puisse être utilisé dans les applications pratiques de votre laboratoire, le SU9000 utilise une platine d'échantillonnage à entrée latérale ultra stable, similaire aux systèmes TEM haut de gamme, et intègre un amortissement optimisé des vibrations ainsi qu'une armoire fermée pour protéger l'optique électronique des bruits ambiants. En outre, le concept de vide propre du SU9000 offre un niveau de vide dans le pistolet et la chambre à échantillon supérieur d'un ordre de grandeur à celui de la génération précédente, minimisant ainsi les artefacts de contamination de l'échantillon (un nettoyage efficace des échantillons avant l'observation peut être réalisé à l'aide du nettoyeur d'échantillons ZONESEM d'Hitachi). En plus d'une résolution pure et inégalée, le SU9000 est également équipé d'un remarquable système de détection 2+2 pour l'observation de la surface, de la composition et de la transmission des échantillons.