Le système à faisceau ionique large le plus avancé pour la production d'échantillons de coupe transversale ou de fraisage à plat d'une qualité exceptionnelle destinés à la microscopie électronique.
Caractéristiques
Vitesse de fraisage des coupes transversales : 1 mm/heure !*1
L’ArBlade 5000 est équipé d’un canon à ions Ar à usinage rapide offrant une vitesse d’usinage deux fois plus élevée pour des performances de pointe, ce qui réduit considérablement le temps de traitement nécessaire à la préparation des coupes transversales.
Largeurs de coupes transversales allant jusqu’à 8 mm !
Pour répondre aux besoins de fraisage de grandes surfaces, notamment dans le domaine des dispositifs électroniques, un support de fraisage de sections transversales à la conception révolutionnaire a été développé afin de permettre la fabrication de surfaces plus larges.
Exemple de fraisage de sections transversales de grande surface
(Échantillon : composant électronique, durée de fraisage : 5 heures)
Modèle hybride : configuration à double fraisage disponible
Le tout nouveau système de fraisage ionique est équipé à la fois de modes de fraisage de section transversale et de fraisage à plat pour répondre aux besoins des applications les plus complexes.
Équipé de plusieurs supports, le système ArBlade 5000 s'adapte à un large éventail d'applications.
Usinage en coupe transversale
Utilisé pour produire des coupes transversales plus larges et sans distorsion, sans exercer de contrainte mécanique sur l’échantillon
Image d’usinage en coupe transversale
Usinage à plat
Utilisé pour éliminer les artefacts de la couche superficielle et pour le polissage final après des techniques de polissage mécanique traditionnelles.
Unité de refroidissement*
Les versions cryogéniques de l’ArBlade 5000 assurent un refroidissement actif de la platine de fraisage transversal pendant le traitement de l’échantillon. Un déwar d’azote liquide intégré, relié à la platine de fraisage transversal, évacue efficacement la chaleur générée par le fraisage par faisceau d’ions au niveau du masque de protection et de l’échantillon.
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