Microscope électronique SEM SU9600

STEMFE-SEMélectronique à balayage

Aperçu
Le SU9600 est un microscope électronique à balayage modulaire optimisé pour la transmission, conçu pour l'analyse avancée des nanomatériaux, des matériaux 2D et des semi-conducteurs. Il intègre des fonctions UHR-SEM et STEM analytiques sur une plateforme à haute stabilité, avec 4D-STEM, EELS et nano-EDS optionnels pour des études multi-modales.

Accroche
Le microscope SEM optimisé pour la transmission, dédié à l'analyse avancée des nanomatériaux

Points clés

• Combine les fonctions STEM analytiques et UHR-SEM sur une même plateforme stable
• Imagerie ultra-haute résolution de 10 V à 30 kV pour études de surface et structure
• Canon à émission de champ froid (CFE), objectif en immersion totale et stage type TEM permettant une résolution de pointe (0,34 nm garanti, ~0,2 nm réalisable)

Capacités et avantages

• Détection d'électrons rétrodiffusés et transmis avec filtrage énergétique et angulaire
• Corrélation des informations de surface (SE/BSE) avec les informations en transmission (BF/ADF/EELS/4D-STEM)
• Analyse élémentaire sub-nm via EDS sans fenêtre à grand angle solide
• EELS et 4D-STEM pour étudier structure électronique, liaison et contraintes; le CFE améliore la résolution en énergie pour EELS
• Caméra 4D-STEM directe optionnelle avec objectif projecteur pour DPC, ptychographie, cartographie des contraintes et de phase
• Environnement d'échantillonnage flexible : porte-échantillons cryo, MEMS, décélération et double basculement TEM (options)

Applications

• Nano-matériaux : cartographie élémentaire à l'échelle nanométrique, imagerie de réseau et de grains, distribution élémentaire dans nanofils
• Films minces : morphologie de surface, structure des grains et analyse d'orientation en coupe
• Analyse élémentaire : cartographie EDS haute résolution et EELS basse tension pour état d'oxydation et structure électronique
• Semi-conducteurs : imagerie haute résolution et analyses par électrons transmis pour l'étude des dispositifs et l'analyse des défaillances

Remarques

• Les fonctionnalités marquées d'un * sont optionnelles (4D-STEM, EELS, nano-EDS, porte-échantillons).
• Les modes avancés (par ex. porte-décélération / détecteur supérieur) sont optionnels et peuvent affecter les performances en tension d'atterrissage.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Résolution image SE : 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ tension d'atterrissage de 1 kV (*1)
• Résolution image STEM : 0,34 nm @ 30 kV (image réseau) (*2)
• Tension d'accélération : 0,5 à 30 kV
• Tension d'atterrissage (*1) : 0,01 à 20 kV
• Décalage électrique d'image : jusqu'à ±5 µm (Hauteur spécimen = 0,0 mm)
• Déplacement du plateau : X : ±4,0 mm; Y : ±2,0 mm; Z : ±0,3 mm; T (inclinaison) : ±40°
• Taille spécimen - Plateau plat (Max.) : 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H)
• Taille spécimen - Plateau coupe transversale (Max.) : 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H)
• Source d'électrons : émission de champ froid (forte brillance, faible aberration chromatique) avec option NEG pour améliorer les performances EELS
• Détecteurs & analyses : détection d'électrons rétrodiffusés et transmis, filtrage énergie/angle, EDS sans fenêtre grand angle solide, EELS, 4D-STEM (option), caméra 4D-STEM directe (option)
• Notes : *1 Avec porte-échantillon de décélération et détecteur supérieur optionnels. *2 Option.